Khả năng chịu ngắn mạch của IGBT
Thời gian ngắn mạch chịu được IGBT có liên quan đến độ dẫn hoặc mức tăng của nó và công suất nhiệt của chip IGBT. Mức tăng cao hơn dẫn đến dòng ngắn mạch cao hơn trong IGBT, vì vậy rõ ràng là IGBT có mức tăng thấp hơn có mức ngắn mạch thấp hơn. Tuy nhiên, lợi nhuận cao hơn cũng dẫn đến tổn thất dẫn điện ở trạng thái thấp hơn và phải đánh đổi. Sự phát triển của công nghệ IGBT đang góp phần vào xu hướng tăng mức dòng ngắn mạch, nhưng giảm thời gian chịu được ngắn mạch. Ngoài ra, những tiến bộ trong công nghệ đã dẫn đến kích thước chip nhỏ hơn, giảm kích thước mô-đun, nhưng giảm công suất nhiệt và giảm thêm thời gian dung sai.
Ngoài ra, nó có mối quan hệ lớn với điện áp bộ thu-phát IGBT, do đó xu hướng song song của ổ đĩa công nghiệp có xu hướng mức điện áp bus DC cao hơn làm giảm thời gian ngắn mạch. Trước đây, phạm vi thời gian này là 10 s, nhưng trong những năm gần đây, xu hướng đã theo hướng 5 μ 3 và trong một số điều kiện nhất định xuống còn 1 μs.
Ngoài ra, thời gian chịu được ngắn mạch của các thiết bị khác nhau cũng khá khác nhau, vì vậy đối với các mạch bảo vệ IGBT, thông thường nên xây dựng nhiều lề hơn thời gian chịu được ngắn mạch định mức.
Nếu bạn muốn mua một động cơ quạt, hãy chú ý đến Thông gió Motor.
